MRF7S18125AHR3 MRF7S18125AHSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
GSM TEST SIGNAL
Figure 16. EDGE Spectrum
?10
?20
?30
?40
?50
?60
?70
?80
?90
?100
200 kHz Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
?110
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(dB)
Reference Power
VWB = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
RBW = 30 kHz
相关PDF资料
MRF7S18125BHSR5 MOSFET RF N-CH CW 125W NI780
MRF7S18170HSR5 MOSFET RF N-CH NI-880S
MRF7S19080HSR5 MOSFET RF N-CH NI-780S
MRF7S19100NR1 MOSFET RF N-CH 28V 29W TO270-4
MRF7S19120NR1 MOSFET RF N-CH TO-270-4
MRF7S19170HSR5 IC MOSFET RF N-CHAN NI-880S
MRF7S19210HSR5 MOSFET RF N-CH 28V 63W NI780S
MRF7S21080HSR5 MOSFET RF N-CH 22W NI-780S
相关代理商/技术参数
MRF7S18125BHR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18125BHR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18125BHSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18125BHSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.9GHZ CW 125W NI780 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18170H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs)
MRF7S18170HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18170HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 1.8GHZ HV7 WCDMA NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF7S18170HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV7 1.8GHZ 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray